在环境光条件下 (5 klx)，用户还可通过特殊设置实现上限为800mm的距离测量。该传感器具有高达100Hz的快速测距频率，采用微型回流焊封装，是VL53L4CD的直接衍生产品，与其引脚完全兼容。与所有基于STMicroelectronics FlightSense?技术的飞行时间传感器一样，无论目标的颜色和反射率如何，VL53L4ED都能记录距离测量值。
安费诺连接器官网　　这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。
　　XDP700-002 采用“三合一”架构，结合了用于监测和故障检测的高精度遥测、针对功率 MOSFET优化的数字 SOA 控制，以及适用于n沟道功率MOSFET的集成栅极驱动器。XDP700-002 具有-6.5至-80 V的极宽工作输入电压范围，能够承受高达 -100 V 的瞬态电压长达500 ms，其电流和电压遥测误差分别只有0.7%和0.5%。

OPTIGA Authenticate NBT通过使用NFC（近场通信）技术，为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利，实现该场景下，对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。
近日推出新型低漏电流开关解决方案，面向半导体测试，如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产品基于开关随动保护层(switched guard)设计原理，提供PXI, PXIe和LXI版本，整体设计确保隔离电阻高达1013Ω。
安费诺连接器官网　　意法半导体推出了工作温度范围扩展至 -40°C 至 105°C的单区飞行时间(ToF)传感器VL53L4ED。VL53L4ED适用于工业设备、智能工厂设备、机器人引导系统、户外照明控制、安保监控系统等环境恶劣的应用领域，能够在环境光很高的条件下提高接近检测准确度和测量距离。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。
　　PIC32CZ CA MCU可通过多种连接选项进行配置，包括USART/UART、I2C、SPI、CAN FD、高速USB和千兆以太网。以太网连接选项包括音视频桥接 (AVB) 和基于IEEE 1588标准的时间协议 (PTP)。这些MCU采用100/144/176/208引脚TQFP和BGA封装，可通过2MB、4MB或8MB板载闪存、1MB SRAM和纠错码 (ECC) 存储器进行扩展，以减少数据损坏。

　　这款新型 800G 收发器采用了 Coherent 高意的 140 Gbaud 集成相干发射机-接收机光学组件，其特点是集成了高效能磷化铟调制器和接收机，并结合了专有的嵌入式可调谐波长激光器。相干 800G QSFP-DD 收发器具有多种工作模式，使其在精心设计的网络中能够实现 800 Gbps 速率下 1000 公里的传输距离，以及在 400 Gbps 速率下 2000 公里的传输距离。
安费诺连接器官网　　SQ100 的 SPAD 分辨率为 768 (H) x 576 (V)，具有 3×3，6×6，3xn 等多种 binning 方式；在垂直方向可按照4/8/16个像素进行分区，在水平方向可按照8/16/32/48/64/…/256个像素进行分区。SQ100 提供了超灵活分区的 2D 可寻址方案，在真正解决行业长期面临的”高反污染”（Blooming）问题的同时，还能保持高帧率和远测距能力，扫清了 VCSEL+SPAD 量产路线上重要的性能阻碍。
　　GM12071是一款CMOS、低压差（LDO）线性稳压器，采用 1.9V 至 20V 电源供电，输出电流为500 mA。这款高输入电压 LDO 适用于调节 1.2V至20V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该稳压器采用先进的专有架构，在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流，仅需一个 2.2μF 小型陶瓷输出电容，便可实现出色的线路与负载瞬态响应性能。GM12071稳压器输出噪声为 8.5μVRMS，与固定输出电压选项无关。
车规级电容触控型CVM012x系列MCU正式上市（简称TMCU）。作为国产首颗可以实现HoD应用的真车规级单芯片解决方案，该系列产品继承了已经批量量产的曦华CVM01平台，集成了ARM Cortex-M0+内核、大容量的Flash存储器、SRAM存储器和丰富的外设资源。