此外，新驱动器还集成了两个电流检测放大器，用于系统状态监测，有助于限度地降低物料成本。这些放大器适用于检测高边、低边和内联电路的电流，增益可单独设置，具有低失调电压和低温漂特性。可以单独关闭电流检测放大器，以减少闲置时的电流消耗。
德国科世达此前，三星 MX 部门主要在其高端平板电脑中使用高通的“骁龙”AP。例如，2022 年发布的 Galaxy Tab S8 搭载了骁龙 8 Gen 1，去年推出的 Galaxy Tab S9 搭载了骁龙 8 Gen 2。然而，联发科的重大技术进步促使其决定在 Tab S10 中使用 Dimensity 9300+ 代替骁龙 AP。
　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。

此外，由于为xEV设定了很高的安全标准，驱动电机中使用的功率半导体必须比一般工业应用中使用的功率半导体更可靠。
旗下备受青睐的IT-M3100可编程直流电源系列再添新星，隆重推出全新1000V高压型号。这款新成员不仅功率覆盖从400W到1500W，更以紧凑设计著称，1U高度、半宽机架，完美适用于实验室和产线系统控制。不仅如此，IT-M3100系列还支持高达256通道的同步控制，大幅提升产线测试效率，堪称灵活高效的测试利器。
德国科世达　　“通过进一步扩展我们的ITV锂电池组保护保险丝系列，将这些额定电流为5安培的新器件纳入其中，Littelfuse为电子工程师的下一代消费电子产品设计提供了更多选择。”Littelfuse全球产品经理Stephen Li谈到，“继续扩大我们的表面安装、三端子电池组保护器产品组合，使我们能够为这些产品开发团队提供更强大、更创新的电池保护解决方案。”
日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。
新产品包括直流-直流转换器的MGN1系列，它们专为桥式电路中GaN的“高压侧”和“低压侧”栅极驱动电路供电。选择输出电压允许的1驱动水平，从而达到的系统效率。MGN1系列具有超低隔离电容和250V增强绝缘，能够满足高开关速度GaN应用中常见的高dv/dt要求。

　　Voyager是一款符合 9.6” x 9.6” Micro ATX硬件尺寸的开发板，内含QiLai系统芯片、16GB DDR4 SIMM插槽、JTAG调试器、USB到UART网桥、I2S音频编译码器、16Mb SPI Flash启动程序代码、SD卡插槽，以及多个可用于连接GPU卡和 SSD等多种外部设备的PCIe Gen4插槽。
德国科世达新IMU内置一个 3轴陀螺仪和一个 3轴加速度计，采用低噪声架构，带宽高达 2kHz，适用于机床工况监测中的振动感测。其他用途包括工业机器人、家用机器人、智能送料车(AGV)、智能家电和动作追踪器。
　　为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
市场对SiC二极管的首次发布反响非常热烈。它们已经在设计中证明了自己的实力，工业应用的电源便是一个非常引人瞩目的示例，客户取得了特别好的结果。这些二极管的卓越反向恢复性能意味着在实际使用中将具有较高效率。